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1范围和目的
本标准规定了地面用薄膜光伏组件设计鉴定和定型的要求,该组件是在GB/T4797.1—1984和IEC∶ 60721-2-1第1修正案:1987中所定义的一般室外气候条件下长期使用。本标准制定时是以非品硅薄膜组件技术为主,但同样适用于其艳薄膜光伏组件。整手其他新技术的特殊性能,有可能需要对该试验程序做修订。
本试验程序主要依据GB/T 9685—1998(地面用晶体硅光伙组件~漫计鉴定和定型》而制定,针对非晶硅薄膜组件的特殊性能f了一些必要的修改。光老炼用于区别角致衰溃与其他衰减机制,并将试验程序后期的*大功率作为薄膜组件长期工作性能估计。为区别热循环和湿—鄢试验中可能产生的退火效应,组件在拿些试读验之前需进行退火。对于不采用非晶硅的其他薄膜形寇技志诸如光老炼和退火的预处理可能不同或可能证明是不需要,因为所有类型的薄膜组件易受潮引息侵饿故须增加一个湿漏电流试验
本试驼程序的目的是在尽可能合理的经费和时间内确定组件的电性能和热性能,表明组件能够在规定的气髻条件下长期使用通过此拭验的组件的实际使用寿命期望值将取决于组件的设计以及它们使用的环境和条件。
本标准不适用于带聚光器的组件。2规范性引用文件
下列文牛中的条款通过本标准的引用而戚为本标准的条款,凡是注日期的影用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,f鼓励展据本标准达成协议的各方研究是香可使用这些文件的*新版本。凡是不注日期的引球文作 ,.其*新版本适用于本标准。
GB/T 2421—g9电工电子产品环境试验﹑第1部分:总则(idtjEc sogo8-1 ; 1988,第Ⅰ修正案;1992)
GB/T 2423.3—19 99电工电手产品基本环境试验规程
试验Ca:恒定湿热试验方法
( eqv IEC60068-2-3:1984)
GB/T 2423.29—1999电工电子产品环境试验――第2部分:试验方法﹒试验U;引出端及整体安装件强度( idt IEC 60068-2-21 : 1992)
GB/T 2829—2002周期检验计数抽样程序及表(适用于对过程稳定性的检验)
GB/T 4797.1—1984 电工电子产品自然环境条件温度与湿度(neq IEC 60721-2-1:1982)
GB/T 6495.1—1996光伏器件第1部分:光伏电流—电压特性的测量(idt 1EC 60904-1:1987)GB/T6495.3——1996光伏器件第3部分:
( idt IEC60904-3 : 1989)
GB/T 6495.4—1996晶体硅光伏器件「V实测特性的温度和辐照度修正方法(idt IEC 60891 :1987、第l修正案:1992)
GB/T 9535—1998地面用晶体硅光伏组件﹒设计鉴定和定型( eqv IFC61215;1993
GB/T 2423.2—200l电工电子产品环境试验﹐第⒉部分:试验方法―试验B:高温
(idt lEC60068-2-2:1974、第1修正案:1993,第2修正案:1994)
IEC 60721-2-1第l修正案;1987﹑环境条件类别第⒉部分:自然环境条件—温度与湿度IEC 60904-9 : 1995光伏器件第9部分:太阳模拟器性能要求
IEC61345:1998光伏组件的紫外试验
IECQC 001002: 1986IEC电子元器件质量评定体系(IEC Q)程序规则
第⒉修正案:1994
3抽样
从同一批或几批产品中,按GB/T 2829—2002规定的方法随机地抽八个(如需要可增加备份)组件用于鉴定试验。这些组件应由符合相应图纸和工.艺要求规定的材料和元器件所制造﹐并经过制造厂常规检测﹑质量控制与产品验收程序。组件应该是完整的,并附有制造厂的搬运、安装和连接说叨书.包括系统*大许可电压。
如果被试验的组件是一种新设计的样品而不是来自于生产线上,应在试验报告中加以说明(见第8章)。
4标志
每个组件都应有下列清晰而且擦不掉的标志:a)制造厂的名称,标志或代号:
b)产品型号:
c)产品序号;
d)引出端或引线的*性(可用色码标识);e)组件允许的*大系统电压;
f在标准测试条件下,该型号产品*大输出功率的标称值和*小值。制造的日期和地点应注明在组件上,或可由产品序号查到。
5试验
把组件分组﹐并按图Ⅰ所示的程序进行鉴定试验。图中每个方框对应本标准的一条。具体试验的方法和要求﹐包括所需要进行的初始和*终的测试.都在第10章中详细规定。但是10.2、10.4,10.6及10.7的试验﹐应注意到GB/T 6495.4—1996所描述IV特性测量的温度和辐照度修正方法仅适用于线性组件。若组件为非线性的·这些试验应在规定辐照度的士5%和规定温度的士2℃范围内进行。
注:若将一个试验的*终测试作为下一个试验的初始测试时,不需要重复测试.这种情况下﹒该试验的初始测试可
省略。
任何独立进行的单一试验,均应进行10.1,10.2和10.3初始试验。
在试验中﹐操作者应严格遵照制造厂关于组件的搬运﹑安装和连接的要求。如组件的温度系数α和β已知﹐10.4 的测试可省略。对于不采用非晶硅技术的其他薄膜形成技术,若已证明退火及光老炼对性能无影响(*大功率变化小于0.5%) ,则可以省去该两项试验。试验报告应说明省去任何步骤的理由。
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