微电子材料检测

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测项目：

半绝缘砷化镓单晶中碳浓度,少子寿命,工业硅中杂质元素含量,晶向,晶片弯曲度,晶片翘曲度,电阻率与掺杂剂浓度换算,砷化镓单晶AB微缺陷,砷化镓单晶EL2浓度,砷化镓单晶位错密度,砷化镓和磷化铟材料霍尔系数,砷化镓材料杂质均匀性,砷化镓材料杂质浓度,砷化镓材料热稳定性,砷化镓材料霍尔迁移率、电阻率均匀性,砷化镓材料霍尔迁移率和电阻率的均匀性,硅单晶完整性,硅单晶电阻率,硅外延层、扩散层和离子注入层薄层的电阻,硅外延层厚度,硅外延层晶体完整性,硅多晶断面夹层,硅抛光片氧化诱生缺陷,硅抛光片表面质量,硅晶体中氧含量,硅晶体中碳含量,硅晶体中间隙氧含量径向变化,硅材料缺陷,硅片厚度和总厚度变化,硅片电阻率,硅片直径测量,硼含量,碳化硅单晶抛光片表面粗糙度,碳化硅单晶抛光片表面质量,碳化硅单晶片厚度和总厚度变化,碳化硅单晶片微管密度,碳化硅单晶片直径,磷化铟位错,锗单晶位错,霍尔系数,砷化镓材料霍尔迁移率,硅外延层电阻,光伏电池用硅材料表面金属杂质含量,多晶硅表面金属,导电类型,径向电阻率变化

检测标准：

1、SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法

2、GB/T4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

3、GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法

4、GB/T 1557-2006 硅晶体中氧含量

5、GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

6、GB/T 14142-2017 硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法

7、GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程

8、GB/T6620-2009 硅片翘曲度非接触式测试方法

9、GB/T 14847-2010 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

10、GB/T1555-2009 半导体单晶晶向测定方法

11、GB/T30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法

12、GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

13、GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法

14、GB/T30453-2013 硅材料原生缺陷图谱

15、GB/T30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

16、GB/T19199-2015 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

17、GJB 1927-1994 砷化镓单晶材料测试方法 GJB 1927-1994

18、GB/T6618-2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法

19、GB/T1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

20、GB/T 18032-2000 砷化镓单晶AB微缺陷检验方法

检测流程步骤

1、电话沟通、确认需求；

2、推荐方案、确认报价；

3、邮寄样品、安排检测；

4、进度跟踪、结果反馈；

5、出具报告、售后服务；

6、如需加急、优先处理；