硅单晶检测

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报告资质：CNAS、CMA、CAL等

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检测周期:3-15个工作日(可加急)

检测费用：根据客户需求及实验复杂程度报价

样品大小：根据样品大小选择寄样或上门

检测项目：

部分参数,少数载流子寿命,氧含量,表面金属,全部参数,碳含量,晶体完整性,直径,晶向及晶向偏离度,径向电阻率变化,电阻率,导电类型,部分项目,晶向,直径及允许误差,弯曲度,翘曲度,氧化诱生缺陷,表面质量,厚度和总厚度变化,厚度与总厚度变化,微管密度,晶型,表面粗糙度,晶向及晶向离度,全部项目,硅单晶电阻率标准样片检定校准,主参考面晶向

检测标准：

1、GB/T 12965-2005 《硅单晶切割片和研磨片》

2、GB/T 1554-2009 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法

3、SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度测试方法 5. 原子力显微镜法

4、GB/T 30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法

5、GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法

6、GB/T 25076-2018 太阳电池用硅单晶 6.2

7、GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 30867-2014

8、SEMI PV43-0113 太阳能电池用硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法

9、JJF 1760 硅单晶电阻率标准样片校准规范

10、GB/T12962-2015 硅单晶

11、GB/T 14140-2009 硅片直径测量方法

12、GB/T12965-2018 硅单晶切割片和研磨片

13、GB/T 1550-2018 非本征半导体材料导电类型测试方法

14、SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 SJ/T 11503-2015

15、GB/T 31351-2014 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法

16、GB/T 12964-2003 直径

17、GB/T12964-2018 硅单晶抛光片

18、SJ/T11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法

19、GB/T 12962-2015 硅单晶

20、GB/T 12965-2018 硅单晶切割片和研磨片

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