简介:产品简介ME-L是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业前沿的**技术,包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。可应用于半导体薄膜结
ME-L是一款科研级全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪,凝聚了科研团队在椭偏技术多年的投入,其采用行业前沿的**技术,包括消色差补偿器、双旋转补偿器同步控制、穆勒矩阵数据分析等。可应用于半导体薄膜结构,半导体周期性纳米结构,新材料,新物理现象研究,平板显示,光伏太阳能,功能性涂料,生物和化学工程,块状材料分析以及各种各向同性/异性薄膜材料膜厚、光学纳米光栅常数以及一维/二维纳米光栅材料结构的表征分析。
产品型号 |
ME-L全自动高精度穆勒矩阵型椭偏仪 | ||
主要特点 |
1、采用氘灯和卤素灯复合光源,光谱覆盖紫外到近红外范围 (193-2500nm) 2、可实现穆勒矩阵数据处理,测量信息量更大,测量速度快、数据更加精准 3、基于双旋转补偿器配置,可一次测量获得全部穆勒矩阵的16个元素,相对传统光谱椭偏仪可获取更加丰富**的测量信息 4、颐光砖利技术确保在宽光谱范围内,提供上等稳定的各波段光谱 5、数百种材料数据库、多种算法模型库,涵盖了目前绝大部分的光电材料 6、集成对纳米光栅的分析,可同时测量分析纳米结构周期、线宽、线高、侧壁角、粗糙度等几何形貌信息 | ||
技术参数 |
1、应用:科研级/企业级 2、基本功能:Psi/Delta、R/T、穆勒矩阵等光谱 3、分析光谱:380-1000nm(支持扩展至210-1650nm) 4、单次测量时间:1-8s 5、重复性测量精度:0.005nm 6、决队精度(直通测量空气) 椭偏参数:ψ=45±0.05°△=0±0.1° 穆勒矩阵:对角元素m=1±0.005;非对角元素m=0±0.005 7、光斑大小:大光斑2-3mm;微光斑200μm | ||
可选配置 |
波段选择 V:380-1000nm UV:245-1000nm XN:210-1650nm DN+:193-2500nm 角度选择 自动:45-90° 手动:55-75°(5°步进),90° 固定:65° 其他选择 Mapping选择:100×100mm(供参考,按需定制) 温控台:室温一600C(供参考,按需定制) | ||
可选配件 |
1 |
温控台 |
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2 |
Mapping扩展模块 |
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3 |
真空泵 |
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4 |
透射吸附组件 |
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