简介:检测项目高温高湿反偏测试等。适用范围Si、SiC、GaN材料的IGBTs、DIODEs、MOSFETs、BJTs、SCRs等半导体功率器件等。相关检测标准GB/T29332-2012半导体器件分立器件
高温高湿反偏测试等。
Si、SiC、GaN材料的IGBTs、DIODEs、MOSFETs、BJTs、SCRs等半导体功率器件等。
GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双*晶体管(IGBT)
IEC 60747-1:2006 半导体器件 第1部分:总则
IEC 60747-2 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二*管
IEC 60747-6 半导体器件 第6部分:晶闸管
IEC 61340(所有部分)静电
1、评定产品质量的好坏;
2、判断产品质量等级,即缺陷严重程度;
3、对工艺流程进行检验和工序质量的监督;
4.对质量数据进行搜集统计与分析,以便为质量改进与质量管理活动的开展奠定基础;
5.引入仲裁检验判断质量事故责任。
1.报告中没有“研究测试专用章”和公章,报告没有防伪二维码无效;
2.复制的报告不复盖“研究测试专用章”或者公章无效;
3.报告没有主检,审查,审批人员签名无效;
4.涂改报告无效的;
5.检测报告如有异议,应当在收到报告后15日内提出,逾期不予受理;
以上文章内容为部分列举,更多检测需求及详情免费咨询机构在线顾问:18501763637
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